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UGBT、MOSFET - 單
SGH80N60UFDTU參考圖片

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SGH80N60UFDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 80A 195W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
220A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.6V @ 15V，40A
功率 - 最大值
195W
開關能量
570μJ（開），590μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
175nC
25°C 時 Td（開/關）值
23ns/90ns
測試條件
300V，40A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
95ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 55A 200W TO268
暫無價格
參考庫存:39428
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 30A TO247
暫無價格
參考庫存:39436
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W TO262
暫無價格
參考庫存:39444
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 66A 190W TO247
暫無價格
參考庫存:39452
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:39460
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