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UGBT、MOSFET - 單
IXST30N60BD1參考圖片

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IXST30N60BD1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 600V 55A 200W TO268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
55A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
110A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.7V @ 15V，55A
功率 - 最大值
200W
開關能量
1.5mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
100nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/150ns
測試條件
480V，30A，4.7 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
50ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 50W TO220F
暫無價格
參考庫存:42251
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
暫無價格
參考庫存:42259
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
暫無價格
參考庫存:42267
UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D
暫無價格
參考庫存:42277
UGBT、MOSFET - 單
IGBT BIPO 600V 60A TO247
暫無價格
參考庫存:42285
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