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UGBT、MOSFET - 單
NGTB30N120IHSWG參考圖片

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NGTB30N120IHSWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 30A TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值
192W
開關能量
1mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
220nC
25°C 時 Td(開/關)值
-/210ns
測試條件
600V,30A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
600V,30A,10 歐姆,15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
暫無價格
參考庫存:6753
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 53A TO247-3
暫無價格
參考庫存:6355
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A TO247
暫無價格
參考庫存:40863
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
暫無價格
參考庫存:6705
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 229A 625W TO264
暫無價格
參考庫存:5912
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