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UGBT、MOSFET - 單
HGTD1N120BNS9A參考圖片

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HGTD1N120BNS9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
5.3A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
6A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.9V @ 15V，1A
功率 - 最大值
60W
開關能量
70μJ（開），90μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
14nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/67ns
測試條件
960V，1A，82 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
960V，1A，82 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
REVERSE CONDUCTING IGBT
暫無價格
參考庫存:4042
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3
暫無價格
參考庫存:6059
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 78A 337W TO247
暫無價格
參考庫存:4016
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
暫無價格
參考庫存:35278
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 165W TO247
暫無價格
參考庫存:5983
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