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UGBT、MOSFET - 單
IXBA16N170AHV參考圖片

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IXBA16N170AHV

  • IXYS
  • 最新
  • REVERSE CONDUCTING IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
BIMOSFET?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1700V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
16A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
6V @ 15V，10A
功率 - 最大值
150W
開關能量
2.5mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
65nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/250ns
測試條件
1360V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
25ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263HV
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 200W TO247
暫無價格
參考庫存:3959
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:36297
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
暫無價格
參考庫存:2404
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
暫無價格
參考庫存:1436
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 2.5KV 70A ISOPLUSI5-PAK
暫無價格
參考庫存:1243
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