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UGBT、MOSFET - 單
HGTG20N60B3D參考圖片

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HGTG20N60B3D

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 40A 165W TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
165W
開關能量
475μJ（開），1.05mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
80nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
55ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A 39W TO220FP
暫無價格
參考庫存:34070
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 34A 125W TO220AB
暫無價格
參考庫存:34078
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 56A 250W TO220
暫無價格
參考庫存:34086
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 108A TO247
暫無價格
參考庫存:34094
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 306W TO247AC
暫無價格
參考庫存:34102
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