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FET，MOSFET - 單個
SIHP690N60E-GE3參考圖片

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SIHP690N60E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH E PWR TO-220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
E
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
700 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
347pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
暫無價格
參考庫存:63520
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
暫無價格
參考庫存:63528
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
暫無價格
參考庫存:63552
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
暫無價格
參考庫存:63568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
暫無價格
參考庫存:63576
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