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FET，MOSFET - 單個
NTD4813N-1G參考圖片

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NTD4813N-1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7.6A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，11.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
13 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
7.9nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
860pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.27W（Ta），35.3W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I-PAK
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
暫無價格
參考庫存:4119
EPC
FET，MOSFET - 單個
AEC-Q101 GAN FET 15 V
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參考庫存:7396
FET，MOSFET - 單個
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暫無價格
參考庫存:13402
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