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FET，MOSFET - 單個
SI2319DDS-T1-GE3參考圖片

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SI2319DDS-T1-GE3

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET? Gen III
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.7A（Ta），3.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
75 毫歐 @ 2.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
19nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
650pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta），1.7W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
暫無價格
參考庫存:46847
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
暫無價格
參考庫存:46855
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
暫無價格
參考庫存:46863
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 6TSOP
暫無價格
參考庫存:46895
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
暫無價格
參考庫存:46903
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