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UGBT、MOSFET - 單

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RJP65T54DPM-E0#T2

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值
63.5W
開關能量
330μJ（開），760μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
72nC
25°C 時 Td（開/關）值
35ns/120ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
400V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM，SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PF
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 40A TO247
暫無價格
參考庫存:36666
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 50A SGL TO-247-4
暫無價格
參考庫存:36674
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:36682
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 520W TO247AC
暫無價格
參考庫存:36690
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 31A 139W TO263-3
暫無價格
參考庫存:36698
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