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UGBT、MOSFET - 單
IRG8P50N120KD-EPBF參考圖片

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IRG8P50N120KD-EPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
105A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，35A
功率 - 最大值
350W
開關能量
2.3mJ（開），1.9mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
315nC
25°C 時 Td（開/關）值
35ns/190ns
測試條件
600V，35A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
170ns
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247AD
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
暫無價格
參考庫存:42144
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 92W TO263-3
暫無價格
參考庫存:42152
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
暫無價格
參考庫存:42160
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:42168
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 125W TO220
暫無價格
參考庫存:42176
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