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UGBT、MOSFET - 單
FGA50N100BNTD2參考圖片

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FGA50N100BNTD2

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1000V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.9V @ 15V，60A
功率 - 最大值
156W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
257nC
25°C 時 Td（開/關）值
34ns/243ns
測試條件
600V，60A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
75ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT
暫無價格
參考庫存:5760
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 70A 300W TO247
暫無價格
參考庫存:3530
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 36A 80W TO3PF
暫無價格
參考庫存:4917
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 330W TO247AD
暫無價格
參考庫存:3774
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 4500V 90A 417W I5-PAK
暫無價格
參考庫存:7466
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