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UGBT、MOSFET - 單
RGTH50TK65DGC11參考圖片

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RGTH50TK65DGC11

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
26A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
100A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值
59W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
49nC
25°C 時 Td(開/關)值
27ns/94ns
測試條件
400V,25A,10歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
58ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3PFM,SC-93-3
供應商器件封裝
TO-3PFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 43A 250W TO220
暫無價格
參考庫存:32368
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
暫無價格
參考庫存:32376
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:32392
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:32400
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
暫無價格
參考庫存:32408
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