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UGBT、MOSFET - 單

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RGT20TM65DGC9

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
10A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
30A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，10A
功率 - 最大值
25W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
22nC
25°C 時 Td（開/關）值
21ns/110ns
測試條件
400V，10A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
42ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商器件封裝
TO-220NFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 60A 454W TO247-3
暫無價格
參考庫存:33870
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:33878
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V TO247 COPAK
暫無價格
參考庫存:33886
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
暫無價格
參考庫存:33894
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W TO247
暫無價格
參考庫存:33910
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