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UGBT、MOSFET - 單
RGW60TS65DGC11參考圖片

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RGW60TS65DGC11

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
178W
開關能量
480μJ（開），490μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
84nC
25°C 時 Td（開/關）值
37ns/114ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
92ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247N
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 280W TO264
暫無價格
參考庫存:35216
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 9A 38W DPAK
暫無價格
參考庫存:35224
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 100A 240W TO3P
暫無價格
參考庫存:35232
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:35240
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 76A 200W TO247AD
暫無價格
參考庫存:35248
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