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UGBT、MOSFET - 單
FGA60N65SMD參考圖片

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FGA60N65SMD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 120A 600W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
180A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，60A
功率 - 最大值
600W
開關能量
1.54mJ（開），450μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
189nC
25°C 時 Td（開/關）值
18ns/104ns
測試條件
400V，60A，3 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
47ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
優(yōu)勢價格，F(xiàn)GA60N65SMD的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
暫無價格
參考庫存:7248
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
暫無價格
參考庫存:40261
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 200A 780W PLUS247
暫無價格
參考庫存:5238
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 380W TO268
暫無價格
參考庫存:40273
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 15A 65W D2PAK
暫無價格
參考庫存:10130
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