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UGBT、MOSFET - 單
FGA30N65SMD參考圖片

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FGA30N65SMD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，30A
功率 - 最大值
300W
開關能量
716μJ（開），208μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
87nC
25°C 時 Td（開/關）值
14ns/102ns
測試條件
400V，30A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
35ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 12A 68W TO220-3
暫無價格
參考庫存:37066
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO247
暫無價格
參考庫存:37074
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 400V 7A 29W DPAK
暫無價格
參考庫存:37082
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:37090
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 130A 469W TO247AC
暫無價格
參考庫存:37106
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