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UGBT、MOSFET - 單
HGTG20N60B3參考圖片

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HGTG20N60B3

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 40A 165W TO247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
40A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
165W
開關能量
475μJ（開），1.05mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
80nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
480V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
480V，20A，10 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 9A 32W TO220-3
暫無價格
參考庫存:40244
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO268
暫無價格
參考庫存:40252
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 80A 305W TO247-3
暫無價格
參考庫存:40260
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
暫無價格
參考庫存:40268
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 48A 250W TO268
暫無價格
參考庫存:40276
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