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FET，MOSFET - 射頻
PD20010-E參考圖片

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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
LDMOS
頻率
2GHz
增益
11dB
電壓 - 測試
13.6V
額定電流（安培）
5A
噪聲系數
-
電流 - 測試
150mA
功率 - 輸出
10W
電壓 - 額定
40V
封裝/外殼
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
供應商器件封裝
PowerSO-10RF（成形引線）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
TRANS PWR LDMOS SOT502
暫無價格
參考庫存:41370
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B
暫無價格
參考庫存:41378
FET，MOSFET - 射頻
FET RF 65V 3.6GHZ NI-400
暫無價格
參考庫存:41386
FET，MOSFET - 射頻
JFET N-CH 30V 13MA TO92
暫無價格
參考庫存:41394
FET，MOSFET - 射頻
IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2
暫無價格
參考庫存:41402
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