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FET，MOSFET - 射頻

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A2T18S160W31GSR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
晶體管類型
LDMOS
頻率
1.88GHz
增益
19.9dB
電壓 - 測試
28V
額定電流（安培）
-
噪聲系數
-
電流 - 測試
1A
功率 - 輸出
32W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-780GS-2L2LA
供應商器件封裝
NI-780GS-2L2LA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 射頻
BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP
暫無價格
參考庫存:8945
FET，MOSFET - 射頻
BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
暫無價格
參考庫存:8668
FET，MOSFET - 射頻
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
暫無價格
參考庫存:36736
FET，MOSFET - 射頻
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
暫無價格
參考庫存:8871
FET，MOSFET - 射頻
150W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH
暫無價格
參考庫存:36756
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