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FET，MOSFET - 單個
SPB21N10參考圖片

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SPB21N10

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
SIPMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
21A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
80 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 44μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
38.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
865pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
暫無價格
參考庫存:39832
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 11A TO220
暫無價格
參考庫存:39840
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
暫無價格
參考庫存:39848
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
暫無價格
參考庫存:39864
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
暫無價格
參考庫存:39872
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