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FET，MOSFET - 單個
BSS192PE6327參考圖片

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BSS192PE6327

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
SIPMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
190mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
12 歐姆 @ 190mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 130μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
6.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
104pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT89
封裝/外殼
TO-243AA
商品其它信息
優勢價格，BSS192PE6327的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
暫無價格
參考庫存:39124
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
暫無價格
參考庫存:39140
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
暫無價格
參考庫存:39148
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
暫無價格
參考庫存:39164
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:39172
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