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FET，MOSFET - 單個

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SQM200N04-1M8_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
200A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.8 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
310nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
17350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263-7
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
暫無價格
參考庫存:50475
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
暫無價格
參考庫存:50483
FET，MOSFET - 單個
SIC MOSFET 1700V
暫無價格
參考庫存:50491
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 18A TO251A
暫無價格
參考庫存:50499
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:50507
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