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FET,MOSFET - 單個
STW18N65M5參考圖片

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STW18N65M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N CH 650V 15A TO-247
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh? V
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
15A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
220 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
31nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1240pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
暫無價格
參考庫存:10660
FET,MOSFET - 單個
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暫無價格
參考庫存:10169
FET,MOSFET - 單個
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暫無價格
參考庫存:8144
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