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FET,MOSFET - 單個
TPH4R606NH,L1Q參考圖片

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TPH4R606NH,L1Q

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
U-MOSVIII-H
零件狀態
Digi-Key 停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
32A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
4.6 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
49nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3965pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),63W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOP Advance(5x5)
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:27806
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
暫無價格
參考庫存:27814
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:27822
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:27830
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:27838
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