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FET,MOSFET - 單個
FQN1N50CBU參考圖片

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FQN1N50CBU

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
QFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
380mA(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6 歐姆 @ 190mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
6.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
195pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
890mW(Ta),2.08W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-92-3
封裝/外殼
TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
暫無價格
參考庫存:36180
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
暫無價格
參考庫存:36188
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK
暫無價格
參考庫存:36196
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:36204
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
暫無價格
參考庫存:36212
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