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硅電容器
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  • IPDiA
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  • CAP SILICON 3.3UF 15% 11V 1812
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
HTSC
零件狀態
Digi-Key 停產
電容
3.3μF
容差
±15%
電壓 - 擊穿
11V
ESR（等效串聯電阻）
400 mOhms
ESL（等效串聯電感）
100pH
應用
高溫
特性
高可靠性
工作溫度
-55°C ~ 200°C
封裝/外殼
1812（4532 公制）
高度
0.016"（0.41mm）
大小/尺寸
0.183" 長x 0.140" 寬 （4.66mm x 3.56mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
硅電容器
CAP SILICON 5PF 10% 50V SMD
暫無價格
參考庫存:33024
硅電容器
CAP SILICON 9.9PF 10% 100V SMD
暫無價格
參考庫存:33032
硅電容器
CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504
暫無價格
參考庫存:33040
硅電容器
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
暫無價格
參考庫存:33048
硅電容器
ULTRA LARGE BAND LOW PROFILE SIL
暫無價格
參考庫存:33056
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