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硅電容器

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935146832410-W0T

  • Murata Electronics
  • 最新
  • VERTICAL WIREBOND LOW PROFILE SI
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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
WLSC
零件狀態
有源
電容
1nF
容差
±15%
電壓 - 擊穿
30V
ESR（等效串聯電阻）
50 mOhms
ESL（等效串聯電感）
50pH
應用
高穩定性，垂直硅電容器，引線鍵合
特性
高可靠性，小尺寸
工作溫度
-55°C ~ 150°C
封裝/外殼
非標準型芯片
高度
0.005"（0.12mm）
大小/尺寸
0.010" 長 x 0.010" 寬（0.25mm x 0.25mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
硅電容器
ULTRA BROADBAND EMBEDDING/WIRE B
暫無價格
參考庫存:32860
硅電容器
CAP SILICON 0.022UF 15% 11V 0402
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參考庫存:7526
硅電容器
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
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參考庫存:32886
硅電容器
AUTOMOTIVE SI CAP 1NF , -55/+200
暫無價格
參考庫存:32910
硅電容器
CAP SILICON 0.2PF 50V 0402
暫無價格
參考庫存:32926
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