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硅電容器

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935146521410-T3T

  • Murata Electronics
  • 最新
  • VERTICAL WIREBOND LOW PROFILE SI
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
WLSC
零件狀態
有源
電容
1nF
容差
±15%
電壓 - 擊穿
150V
ESR（等效串聯電阻）
50 mOhms
ESL（等效串聯電感）
50pH
應用
高穩定性，垂直硅電容器，引線鍵合
特性
高可靠性，小尺寸
工作溫度
-55°C ~ 150°C
封裝/外殼
0202（0505 公制）
高度
0.005"（0.12mm）
大小/尺寸
0.020" 長 x 0.020" 寬（0.50mm x 0.50mm）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
硅電容器
CAP SILICON 3.3UF 15% 11V 1616
暫無價格
參考庫存:33300
硅電容器
ULTRA BROADBAND EMBEDDING/WIRE B
暫無價格
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AUTOMOTIVE SI CAP 10NF , -55/+20
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ULTRA LARGE BAND LOW PROFILE SIL
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參考庫存:33340
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CAP SILICON 1000PF 20% SMD
暫無價格
參考庫存:3098
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