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雙極性晶體管（BJT）- 陣列
VT6T11T2R參考圖片

圖片僅供參考， 請參閱產品規格

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VT6T11T2R

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
2 PNP（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
200mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
20V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
300mV @ 10mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
120 @ 1mA，2V
功率 - 最大值
150mW
頻率 - 躍遷
350MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝
VMT6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 陣列
TRANS NPN/PNP 65V 0.1A 6TSSOP
暫無價格
參考庫存:29710
雙極性晶體管（BJT）- 陣列
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
暫無價格
參考庫存:29718
雙極性晶體管（BJT）- 陣列
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
暫無價格
參考庫存:29726
雙極性晶體管（BJT）- 陣列
TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT143B
暫無價格
參考庫存:29734
雙極性晶體管（BJT）- 陣列
TRANS 4PNP 60V 0.6A 14FLATPACK
暫無價格
參考庫存:29742
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