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雙極性晶體管（BJT）- 單個
2SD2652T106參考圖片

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2SD2652T106

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
1.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
12V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
200mV @ 25mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
270 @ 200mA，2V
功率 - 最大值
200mW
頻率 - 躍遷
400MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應商器件封裝
UMT3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANSISTOR SOT323
暫無價格
參考庫存:29066
雙極性晶體管（BJT）- 單個
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
暫無價格
參考庫存:29090
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 45V HIGH GAIN PDI5
暫無價格
參考庫存:29098
雙極性晶體管（BJT）- 單個
SMALL-SIGNAL BJT
暫無價格
參考庫存:29106
雙極性晶體管（BJT）- 單個
NPN SILICON TRANSISTOR
暫無價格
參考庫存:29114
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