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雙極性晶體管（BJT）- 單個
NSS35200MR6T1G參考圖片

圖片僅供參考， 請參閱產品規格

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NSS35200MR6T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
35V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值）
310mV @ 20mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
100 @ 1.5A，1.5V
功率 - 最大值
625mW
頻率 - 躍遷
100MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOT-23-6
供應商器件封裝
6-TSOP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS PNP 45V 1A SOT-223
暫無價格
參考庫存:54926
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO-226
暫無價格
參考庫存:54934
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANSISTOR GEN PURP
暫無價格
參考庫存:54950
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN DARL 80V 5A TO33
暫無價格
參考庫存:54974
雙極性晶體管（BJT）- 單個
TRANS NPN 50V 1A CPH3
暫無價格
參考庫存:54982
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