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UGBT、MOSFET - 單
RJH65D27BDPQ-A0#T2參考圖片

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
100A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.65V @ 15V，50A
功率 - 最大值
375W
開關能量
1mJ（開），1.5mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
175nC
25°C 時 Td（開/關）值
20ns/165ns
測試條件
400V，50A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
80ns
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247A
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 24A 100W TO220
暫無價格
參考庫存:42692
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 45A 140W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:42700
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
暫無價格
參考庫存:42708
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
暫無價格
參考庫存:42716
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
暫無價格
參考庫存:42724
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