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UGBT、MOSFET - 單
HGTD3N60C3S9A參考圖片

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HGTD3N60C3S9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 6A 33W TO252AA
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2V @ 15V，3A
功率 - 最大值
33W
開關能量
85μJ（開），245μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
10.8nC
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
480V，3A，82 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
480V，3A，82 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝
TO-252AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 55A 210W TO247AC
暫無價格
參考庫存:31788
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 16A 77W D2PAK
暫無價格
參考庫存:31796
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 78A 337W TO247
暫無價格
參考庫存:31804
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 14A 49W TO262
暫無價格
參考庫存:31812
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
暫無價格
參考庫存:31820
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