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UGBT、MOSFET - 單
IGB03N120H2ATMA1參考圖片

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IGB03N120H2ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
最後搶購
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
9.6A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
9.9A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值
62.5W
開關能量
290μJ
輸入類型
標準
柵極電荷
22nC
25°C 時 Td(開/關)值
9.2ns/281ns
測試條件
800V,3A,82 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
800V,3A,82 歐姆,15V
工作溫度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應商器件封裝
PG-TO263-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
暫無價格
參考庫存:8824
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IXGT6N170 TRL
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暫無價格
參考庫存:6408
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