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UGBT、MOSFET - 單
IXST15N120BD1參考圖片

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IXST15N120BD1

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 1200V 30A 150W TO268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
60A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
3.4V @ 15V,15A
功率 - 最大值
150W
開關能量
1.5mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
57nC
25°C 時 Td(開/關)值
30ns/148ns
測試條件
960V,15A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
30ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
供應商器件封裝
TO-268
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 15A TO220
暫無價格
參考庫存:44751
UGBT、MOSFET - 單
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UGBT、MOSFET - 單
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
暫無價格
參考庫存:16618
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