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UGBT、MOSFET - 單

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AIHD10N60RATMA1

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
30A
不同Vge,Ic 時(shí)的Vce(on)
2.1V @ 15V,10A
功率 - 最大值
150W
開關(guān)能量
210μJ(開),380μJ(關(guān))
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
64nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值
14ns/192ns
測(cè)試條件
400V,10A,23 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
400V,10A,23 歐姆,15V
工作溫度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3-313
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,AIHD10N60RATMA1的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
UGBT、MOSFET - 單
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
暫無價(jià)格
參考庫存:41054
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 60A 250W TO247AC
暫無價(jià)格
參考庫存:41062
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
暫無價(jià)格
參考庫存:41070
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
暫無價(jià)格
參考庫存:41078
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A DIE
暫無價(jià)格
參考庫存:41086
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