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UGBT、MOSFET - 單
SGH20N60RUFDTU參考圖片

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SGH20N60RUFDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 32A 195W TO3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
32A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
60A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，20A
功率 - 最大值
195W
開關能量
524μJ（開），473μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
55nC
25°C 時 Td（開/關）值
30ns/48ns
測試條件
300V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
95ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 150A 750W TO247
暫無價格
參考庫存:43105
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 3000V 30A 160W TO247
暫無價格
參考庫存:9637
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 229A 625W TMAX
暫無價格
參考庫存:43115
UGBT、MOSFET - 單
IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D
暫無價格
參考庫存:43135
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
暫無價格
參考庫存:10115
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