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UGBT、MOSFET - 單
NGB8204NT4參考圖片

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NGB8204NT4

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 430V 18A 115W D2PAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
430V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
18A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 4V，15A
功率 - 最大值
115W
開關能量
-
輸入類型
邏輯
柵極電荷
邏輯
25°C 時 Td（開/關）值
-
測試條件
-
反向恢復時間（trr）
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 540W TO264
暫無價格
參考庫存:40377
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 165W TO247
暫無價格
參考庫存:6409
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 3000V 50A 250W TO268
暫無價格
參考庫存:5314
UGBT、MOSFET - 單
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
暫無價格
參考庫存:8201
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO247-3
暫無價格
參考庫存:11188
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