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UGBT、MOSFET - 單
HGT1S20N35G3VLS參考圖片

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HGT1S20N35G3VLS

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 380V 20A 150W TO263AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
375V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
20A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 5V，20A
功率 - 最大值
150W
開關能量
-
輸入類型
邏輯
柵極電荷
28.7nC
25°C 時 Td（開/關）值
-/15μs
測試條件
300V，10A，25歐姆，5V
反向恢復時間（trr）
300V，10A，25歐姆，5V
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 75A 400W TO264
暫無價格
參考庫存:37433
UGBT、MOSFET - 單
POWER TRANSISTORS
暫無價格
參考庫存:37441
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
暫無價格
參考庫存:3038
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 24A 100W PLUS247
暫無價格
參考庫存:37451
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 94A 379W TO247
暫無價格
參考庫存:37459
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