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UGBT、MOSFET - 單
IXYN75N65C3D1參考圖片

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IXYN75N65C3D1

  • IXYS
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
XPT?,GenX3?
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
360A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值
600W
開關能量
2mJ(開),950μJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
122nC
25°C 時 Td(開/關)值
26ns/93ns
測試條件
400V,60A,3 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
65ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4,miniBLOC
供應商器件封裝
SOT-227B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 40A 168W TO247
暫無價格
參考庫存:36290
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
暫無價格
參考庫存:36298
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 70A 190W TO268
暫無價格
參考庫存:36306
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
暫無價格
參考庫存:36314
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
暫無價格
參考庫存:36330
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