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UGBT、MOSFET - 單
STGWT80H65DFB參考圖片

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STGWT80H65DFB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650V
電流 - 集電極(Ic)(最大值)
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
240A
不同Vge,Ic 時的Vce(on)
2V @ 15V,80A
功率 - 最大值
469W
開關能量
2.1mJ(開),1.5mJ(關)
輸入類型
標準
柵極電荷
414nC
25°C 時 Td(開/關)值
84ns/280ns
測試條件
400V,80A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr)
85ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3P
商品其它信息
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推薦型號
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UGBT、MOSFET - 單
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