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UGBT、MOSFET - 單

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STGWA30HP65FB2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HB2
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
167W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
90nC
25°C 時 Td（開/關）值
-/71ns
測試條件
400V，30A，6.8 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
140ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247 長引線
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
DISCRETES
暫無價格
參考庫存:40148
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
暫無價格
參考庫存:40156
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 42A 80W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:40164
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11A 63W D2PAK
暫無價格
參考庫存:40172
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 56A 190W TO220
暫無價格
參考庫存:40180
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