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UGBT、MOSFET - 單
FGA30T65SHD參考圖片

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FGA30T65SHD

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
90A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
238W
開關能量
598μJ（開），167μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
54.7nC
25°C 時 Td（開/關）值
14.4ns/52.8ns
測試條件
400V，30A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
31.8ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220
暫無價格
參考庫存:32666
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 32A 140W TO247AC
暫無價格
參考庫存:32674
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:32682
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 179W TO220-3
暫無價格
參考庫存:32690
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
暫無價格
參考庫存:32698
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