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UGBT、MOSFET - 單
SGP10N60RUFDTU參考圖片

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SGP10N60RUFDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 16A 75W TO220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
16A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
30A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.8V @ 15V，10A
功率 - 最大值
75W
開關能量
141μJ（開），215μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
30nC
25°C 時 Td（開/關）值
15ns/36ns
測試條件
300V，10A，20 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
60ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO252-3
暫無價格
參考庫存:37946
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
暫無價格
參考庫存:37954
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 75A 300W TO268
暫無價格
參考庫存:37962
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
暫無價格
參考庫存:37986
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 10A 50W TO220
暫無價格
參考庫存:37994
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