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UGBT、MOSFET - 單
IXYP20N65C3D1M參考圖片

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IXYP20N65C3D1M

  • IXYS
  • 最新
  • IGBT 650V 18A 50W TO220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
18A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
105A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，20A
功率 - 最大值
50W
開關能量
430μJ（開），350μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
30nC
25°C 時 Td（開/關）值
19ns/80ns
測試條件
400V，20A，20 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
30ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
暫無價格
參考庫存:36457
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 3000V 80A 400W TO268
暫無價格
參考庫存:36465
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1250V 30A 136W TO3PN
暫無價格
參考庫存:2507
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
暫無價格
參考庫存:1324
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 1000W PLUS247
暫無價格
參考庫存:36477
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