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UGBT、MOSFET - 單
AFGB40T65SQDN參考圖片

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AFGB40T65SQDN

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
80A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
160A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
238W
開關能量
858μJ（開），229μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
76nC
25°C 時 Td（開/關）值
17.6ns/75.2ns
測試條件
400V，40A，6 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
131ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK-3（TO-263-3）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V 10.8A 31.2W TO220-3
暫無價格
參考庫存:10410
UGBT、MOSFET - 單
IXGA30N120B3 TRL
暫無價格
參考庫存:43513
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 900V 310A 1630W TO264
暫無價格
參考庫存:8475
UGBT、MOSFET - 單
AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE
暫無價格
參考庫存:43523
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 52W TO3PF
暫無價格
參考庫存:9903
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