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UGBT、MOSFET - 單
RGT16TM65DGC9參考圖片

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RGT16TM65DGC9

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
9A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.1V @ 15V，8A
功率 - 最大值
22W
開關能量
-
輸入類型
標準
柵極電荷
21nC
25°C 時 Td（開/關）值
13ns/33ns
測試條件
400V，8A，10歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
42ns
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商器件封裝
TO-220NFM
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IC DISCRETE 600V TO252-3
暫無價格
參考庫存:43420
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 50A 200W TO247AD
暫無價格
參考庫存:43428
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
暫無價格
參考庫存:43436
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
暫無價格
參考庫存:43444
UGBT、MOSFET - 單
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
暫無價格
參考庫存:43452
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