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UGBT、MOSFET - 單
IXXH50N60B3D1參考圖片

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IXXH50N60B3D1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GenX3?，XPT?
零件狀態
有源
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
120A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
1.8V @ 15V，36A
功率 - 最大值
600W
開關能量
670μJ（開），740μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
70nC
25°C 時 Td（開/關）值
27ns/100ns
測試條件
360V，36A，5 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
25ns
工作溫度
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247（IXXH）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 650V TO-247
暫無價格
參考庫存:33246
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 40A 125W TO220
暫無價格
參考庫存:33254
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
暫無價格
參考庫存:33262
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
暫無價格
參考庫存:33278
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 25A 63W LDPAK
暫無價格
參考庫存:33286
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