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UGBT、MOSFET - 單
GPA015A120MN-ND參考圖片

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GPA015A120MN-ND

  • SemiQ
  • 最新
  • IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
IGBT 類型
NPT 和溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
30A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
45A
不同Vge，Ic 時的Vce（on）
2.5V @ 15V，15A
功率 - 最大值
212W
開關能量
1.61mJ（開），530μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
210nC
25°C 時 Td（開/關）值
25ns/166ns
測試條件
600V，15A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
320ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝
TO-3PN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
暫無價格
參考庫存:97990
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
暫無價格
參考庫存:9900
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 92A 250W TO247
暫無價格
參考庫存:5722
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 150A 452W TO247
暫無價格
參考庫存:40585
UGBT、MOSFET - 單
IGBT 600V 460W TO247
暫無價格
參考庫存:40593
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